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首波产品将锁定下一代企业服务器与资料中心应用,推出大容量 DDR4 记忆体。

半导体制造商 Samsung Electronics 宣布开始大量生产 DDR4 记忆体模组,而首要目标则是瞄准 2014 年开始转换规格的新一代服务器、资料中心平台,业主将能够在需要大量扩展的服务器平台上,获得 DDR4 记忆体高性能、低能耗的特性所带来的好处。

Samsung Electronics 将率先推出 4Gb 的记忆体颗粒,使用 20nm 制程打造 (20nm 表示 20~29nm 制程皆有可能,但以目前进展来看,该公司较有可能使用 20nm 制程进行量产),以供 16GB32GB 记忆体模组使用。

目前的记忆体模组主流容量为 8GB,而制程部分则是 30nm,相较之下 DDR4 记忆体模组的确有很大的突破。

在推出 DDR3 16GB 系列模组后,Samsung Electroncis 将在 2013 下半年继续扩展高阶服务器市场,持续推出大容量记忆体模组,至于 2014 年将会转向 DDR4 平台,并且推动 32GB 以提升自家优势。

Intel 不论是在企业或是消费应用端的处理器,都会在 2014 下半年度开始导入 DDR4 规范,如过去 DDR2 转换至 DDR3,这次的转变也不会有向下兼容的情况。

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